小型PECVD系统
PECVD系统就是为了使传统的化学气象沉积（CVD）反应温度降低，普通CVD设备的沉积温度大多在900℃左右，而在普通CVD装置的前端加入RF射频感应装置将反应气体电离，形成等离子体，利用等离子体的活性来促进反应，可以使化学气相沉积的温度降到400℃左右，所以这个系统称为增强型化学气相沉积系统（PECVD）。
该型号PECVD为成仪新款，综合了国内大多数厂家的管式PECVD系统的优点，触摸屏集中一键控制，实验证明此结构沉积速度快，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。而且控制部分采用了成仪自主研发的实验电炉AIO全自动智能控制系统，使得操作更加简便，功能更加强大。
主要特点：
- 管内真空度自动平衡——管内真空度实时监测，自动平衡。PECVD工艺要求石英管内真空度通常在0.1～100Pa之间，该型号PECVD的AIO控制系统会通过真空泵的自动启停来维持用户设定的管内真空度，使成膜效果达更好的均匀性。
AIO控制系统——加热控制、等离子射频控制、气体流量控制、真空系统控制集中于一个7英寸触摸屏进行统一集中调节和操控，协调控制——成仪AIO控制系统；- 智能气路通断——每路气体均可定时通断，自由切换，省时省力；
- 射频功率的定时控制——预先设定好功率的大小和打开与关闭的时间，自动运行；
- 炉膛移动速度可调——根据实验要求，用户可设定炉膛左右移动的速度和距离，在沉积结束后炉膛可自动移开沉积区，使样品快速冷却；
- 整机结构融为一体——整机长度只有1.5米，移动方便，避免分散组装的困扰。
详细参数：
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加热炉部分 |
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1 |
炉膛模式 |
开启式可移动炉膛 |
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2 |
显示模式 |
7英寸触摸屏 |
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3 |
极限温度 |
1200℃ |
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4 |
工作温度 |
≤1150℃ |
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5 |
升温速率 |
建议10℃/Min Max：30℃/Min |
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6 |
炉体移动 |
有，速度可调 |
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7 |
单温区长度 |
主温区长度：200mm（可选配气体预热部分） |
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8 |
炉管规格 |
60*1150 mm |
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9 |
控温精度 |
±1℃ |
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10 |
密封方式 |
快速法兰密封 |
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11 |
温度曲线 |
30段"时间—温度曲线"任意可设 |
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12 |
预存曲线 |
可预存15条温度曲线 |
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13 |
超温报警 |
有 |
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14 |
过流保护 |
有 |
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15 |
断偶提示 |
有 |
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16 |
测温元件 |
K型热电偶 |
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17 |
炉膛材料 |
氧化铝纤维 |
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18 |
外形尺寸 |
1500*600*1000MM |
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射频电源功率 |
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1 |
信号频率 |
13.56 MHz±0.005% |
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2 |
功率输出范围 |
5W-300W |
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3 |
功率稳定度 |
±0.1% |
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4 |
整机效率 |
>=70% |
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5 |
功率因素 |
>=90% |
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6 |
冷却方式 |
强制风冷 |
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真空部分 |
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1 |
功率 |
500W |
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2 |
抽气速率 |
2L\s |
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3 |
极限真空 |
4X10-2Pa |
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气路系统 |
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1 |
1～3路质量流量计可选（七星华创） |
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2 |
准确度：±1.5% |
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3 |
重复精度：±0.2% |
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4 |
工作压差范围：0.1～0.5 MPa |
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整机系统特色 |
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1 |
正压测量 |
-100Kpa---100Kpa |
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2 |
真空测量 |
10-2Pa ～100Kpa（支持Ar测量） |
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3 |
正压保护 |
支持 |
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4 |
压力恒定 |
支持 |
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5 |
智能气路 |
支持 |
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6 |
气路定时 |
支持 |
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7 |
射频工作时间设定 |
支持 |
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8 |
移动速度调节 |
支持 |
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9 |
系统最高真空度 |
4.8×10-3Pa |
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10 |
软件功能 |
1：射频电源开启时间，可以设定，时间到后自动停止射频电源。 2：自动切换气体功能，不同温度通入不同气体，或者根据要求进行定做（选配） 3：自动检测真空度，根据真空度的大小，自动启动射频电源。 4：真空泵自动启动，根据真空度，系统自动判断是否需要启动真空泵。 5.超压保护。 6.其他功能根据要求定做 |
